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J-GLOBAL ID：200902289286571605   整理番号：08A0790741

ゲートエッチング過程中のケイ素基板への損傷の減少

Reducing Damage to Si Substrates during Gate Etching Processes

著者 (9件)： OHCHI Tomokazu (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI Shoji (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUKASAWA Masanaga (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  KUGIMIYA Katsuhisa (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  KINOSHITA Takashi (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKIZAWA Toshifumi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HAMAGUCHI Satoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAMIDE Yukihiro (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  TATSUMI Tetsuya (Sony Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 7 Issue 1  ページ： 5324-5326  発行年： 2008年07月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲートポリシリコンのエッチング過程中に現われる「Siのくぼみ」の形成のメカニズムを調べた。HBrプラズマ中の水素は薄いゲート酸化物を通して侵入し,Si基板中に転位したサイトを発生する。HおよびOの侵入深さとSiの転位の両方を明らかにするために分子動力学(MD)シミュレーションを開発した。イオンのエネルギー分布関数(IEDF)中の高いエネルギーピークをイオンの侵入の閾エネルギー以下に制御することによって損傷を最小にすることに成功した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,  転位【結晶】 ,  *ケイ素 ,  基板 ,  照射損傷 ,  ポリシリコン ,  臭化水素 ,  *プラズマエッチング ,  分子動力学 ,  計算機シミュレーション ,  水素 ,  酸素 ,  浸透 ,  深さ ,  エネルギー分布 ,  イオン ,  閾値 ,  閾エネルギー ,  格子欠陥 ,  計算機利用 ,  利用

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (9件)：

• A. Ando, E. Matsui, N. Matsuzawa, Y. Yamaguchi, K. Kugimiya, M. Yoshida, K. M. A. Salam, T. Kusakabe, and T. Tatsumi: Thin Solid Films 515(2007)4928.
• Y. Nakamura, T. Tatsumi, S. Kobayashi, K. Kugimiya, T. Harano, A. Ando, T. Kawase, S. Hamaguchi, and S. Iseda: J. Vac. Sci. Technol. A 25(2007)1062.
• T. Kimura, K. Kugimiya, T. Ohchi, K. Fuke, T. Kataoka, T. Tatsumi, and Y. Kamide: J. Vac. Sci. Technol. A 25(2007)1068.
• M. Matsui, F. Uchida, T. Tokunaga, H. Enomoto, and T. Umezawa: Jpn. J. Appl. Phys.38(1999)2124.
• S. A. Vitale and B. A. Smith: J. Vac. Sci. Technol. B 21(2003)2205.

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート ,  エッチング ,  過程 ,  ケイ素基板 ,  損傷