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J-GLOBAL ID：201002266352148779   整理番号：10A0874722

Electron Cyclotron Resonance Plasma を用いたシリコン深掘り技術

Silicon Trench Etching by Electron Cyclotron Resonance Plasma

著者 (4件)： 遠田豊 (株式会社日立ハイテクノロジーズプロセス製造装置三部) ,  古瀬宗雄 (株式会社日立ハイテクノロジーズエッチング装置第二設計部) ,  高田和男 (株式会社日立ハイテクノロジーズエッチング装置第二設計部) ,  堤貴志 (株式会社日立ハイテクノロジーズプロセス製造装置三部)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 53  号： 7  ページ： 435-440 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 日立ハイテクノロジーズは,パワー半導体の開発,量産における微細な寸法の形状制御性,ウェーハ面内均一性,加工形状の連続安定性,安定したエッチング安定性及び対マスク選択比の向上などの要求に対応して,ディープシリコントレンチエッチングに適した新型ドライプラズマエッチング装置Hitachi M-6180を開発した。Hitachi M-6180は,0.01Pa台の低圧下でも高密度(1×1011cm^-3)プラズマを生成することができるECR(電子サイクロトロン共鳴)プラズマ源を採用して,ウェーハ面内均一性確保に有効であり,Hitachi M-6180の低温低圧反応は,ウェーハ温度を低温にすることで,堆積性ガスに頼らず,トレンチ側壁残渣を抑制して優れたトレンチプロファイルを達成する。Hitachi M-6180のECRエッチングチャンバ内を常にクリーンで安定した状態に保つことができる特徴により,枚葉の湿式クリーニング処理を行うことなく,異物およびエッチンング形状の変動を抑制することができ,高い生産性を実現できる。

シソーラス用語： *ECRプラズマ ,  プラズマ源 ,  *ケイ素 ,  高周波放電 ,  アスペクト比 ,  ウエハ【IC】 ,  *プラズマエッチング ,  回路パターン形成 ,  温度依存性 ,  *プラズマ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (8件)：

• 1) 岸 敬二:パワーエレクトロニクスとその応用(東京電機大学出版,2008) p. 130.
• 2) 山崎 浩:パワー MOSFET/IGBT 入門(日刊工業新聞社,2002) p. 12.
• 3) Y. Noda, T. Shibata, T. Yamamoto and H, Yamaguchi: Proceedings of International Symposium on Dry Process, Tokyo, Japan, (2008) p. 127.
• 4) 徳山 巍:半導体ドライエッチング技術(産業図書,1992) p. 26, p. 106, p. 334.
• 5) M. Furuse and S. Watanabe: J. Vac. Sci. Technol. A, 17 (6), (Nov/Dec 1999) 3225.

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン ,  深掘り