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J-GLOBAL ID：201002268423528821   整理番号：10A0580432

有機金属気相エピタクシーによってGaAs基板上に成長させたInGaAsPにおける相分離とCuPt秩序化の共存特性

Coexistence properties of phase separation and CuPt-ordering in InGaAsP grown on GaAs substrates by organometallic vapor phase epitaxy

著者 (5件)： KONAKA Yohei (Div. of Materials and Manufacturing Sci., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...) ,  ONO Ken-ichi (Div. of Materials and Manufacturing Sci., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...) ,  ONO Ken-ichi (High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corp., Itami, Hyogo 664-8641, JPN) ,  TERAI Yoshikazu (Div. of Materials and Manufacturing Sci., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...) ,  FUJIWARA Yasufumi (Div. of Materials and Manufacturing Sci., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 14  ページ： 2056-2059  発行年： 2010年07月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシーによってGaAs基板上に成長させたヒ素含有量の低いIn_1-xGa_xAs_yP_1-yにおいて,CuPt秩序化と相分離を直接研究した。基板温度630°Cと690°Cで成長させた試料におけるCuPt秩序化と相分離を,透過型電子回折と透過型電子顕微鏡観察によって評価した。InGaAsPの非混和性は低い基板温度において増強されるが,630°Cで成長させた試料は,690°Cで成長させた試料に比べて相分離が小さい。630°Cで成長させた試料において,CuPt秩序化の程度がかなり増強される。これらの結果は,P(2×4)の表面再構成に由来するCuPt秩序化が,混和性ギャップにおいてさえ,相分離を抑制することを示している。相分離を詳細に評価し,InGaAsPにおける垂直組成変調(VCM)を初めて明瞭に示した。表面での変調歪場に基づいて,VCM形成の機構を検討した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  固溶体 ,  半導体薄膜 ,  MOCVD ,  *エピタクシー ,  *相分離 ,  表面再構成 ,  電子回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  規則化 ,  基板温度 ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム
準シソーラス用語： MOVPE

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属気相エピタクシー ,  GaAs基板 ,  成長 ,  InGaAsP ,  相分離 ,  秩序化 ,  共存