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J-GLOBAL ID:201002271729604948   整理番号:10A0470914

室温動作の間の負電子親和力性ダイヤモンド(111)p-i-n+接合ダイオードからの電子放出

Electron Emission from a Diamond (111) p-i-n+ Junction Diode with Negative Electron Affinity during Room Temperature Operation
著者 (13件):
資料名:
巻:号:ページ: 041301.1-041301.3  発行年: 2010年04月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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室温動作の間の負電子親和性水素化ダイヤモンド(111)p-i-n+接合ダイオードから,うまく電子放出を観察した。p-n接合構造より,むしろ重くドープした層とp-i-n接合構造が 高ダイオードと放出電流を得る際に重要な役割を演じる。 適用バイアス電圧が期待されるビルトイン・ポテンシャルと等しくなったとき,放出は始まり,放出電流は室温動作の間,8.8μAに達した。この高い電流領域で,量子効率の増加 すなわち放出電流の非線形増加を観察した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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ダイオード 
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