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J-GLOBAL ID：201002271783641026   整理番号：10A0248902

ZnO基表面プラズモン応答ガスセンサの開発およびZnO薄膜からのNO₂脱着に及ぼすUV照射の影響

Development of ZnO-based surface plasmon resonance gas sensor and analysis of UV irradiation effect on NO₂ desorption from ZnO thin films

著者 (7件)： WATANABE Ken (Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci.) ,  MATSUMOTO Kenji (Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci.) ,  OHGAKI Takeshi (Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci.) ,  SAKAGUCHI Isao (Optical Materials Center, National Inst. for Materials Sci.) ,  OHASHI Naoki (Optical Materials Center, National Inst. for Materials Sci.) ,  HISHITA Shunichi (Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci.) ,  HANEDA Hajime (Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci.)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan  (Journal of the Ceramic Society of Japan)
巻： 118  号： 1375  ページ： 193-196 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： F0382A  ISSN： 1882-0743  CODEN： JCSJEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面プラズモン(SPR)を利用したセンサ材料の高生産性探索を実施するため,SPRを有するZnO/Au/SiO₂チップの感知特性およびZnO表面からのNO₂脱着速度に及ぼすUV照射の影響を調査した。ZnO/Au/SiO₂チップを高濃度NO₂(1000ppm)に暴露したとき,SPR曲線に大きなピークシフトが観察されたが,NO₂ガスの感知信号はベースラインに再生されなかった。低濃度NO₂(10ppm)の場合,SPR曲線のピークシフトは高濃度ガスの場合より小さかったが,ベースラインへの再生が観察された。1000ppmおよび10ppmNO₂に暴露したZnO薄膜のN 1sのX線電子分光から,NO₂^-(403.7eV)とNO₃^-(407eV)の2化学吸着状態が確認された。UV線を照射して10ppmのNO₂に暴露した後のZnO膜ではN 1sに関連する全てのピークが消失していた。しかし,1000ppmのNO₂に暴露したZnO膜の場合,吸着N₃^-がZnO表面に残留していた。これらの結果から,UV照射は,10ppmのNO₂に暴露したZnO薄膜の表面からNO₂脱着を効率的に促進することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ガスセンサ ,  表面プラズモン ,  プラズマ共鳴 ,  *酸化亜鉛 ,  二酸化窒素 ,  紫外線照射 ,  脱着 ,  脱着速度 ,  *温度 ,  濃度依存性 ,  X線光電子分光法 ,  吸着 ,  レーザ蒸着 ,  原子間力顕微鏡 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 脱着温度 ,  PLD法

分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

引用文献 (13件)：

• 1) N. Yamazoe, Electrochemistry, 71, 590-591 (2003).
• 2) G. Zhang and M. Liu, Sens. and Actuators B, 69, 144-152 (2000).
• 3) S. Matsushima, T. Maekawa, J. Tamaki, N. Miura and N. Yamazoe, Chem. Lett., 18, 845-848 (1989).
• 4) Y. Sato, I. Sakaguchi, M. Suzuki and H. Haneda, Jpn. J. Appl. Phys., 42, 5867 (2003).
• 5) I. Sakaguchi, S. Hishita and H. Haneda, Jpn. J. Appl. Phys., 43, 5562 (2004).

タイトルに関連する用語 (9件)： ZnO ,  表面プラズモン ,  応答 ,  ガスセンサ ,  開発 ,  ZnO薄膜 ,  NO2 ,  脱着 ,  UV照射