CuとSiO<sub>2</sub>との間の極端に薄い拡散障壁としての反応性スパッタ蒸着ナノ結晶ZrN薄膜

TAKEYAMA Mayumi B.; SATO Masaru; AOYAGI Eiji; NOYA Atsushi

文献

J-GLOBAL ID：201002271912363879 整理番号：10A0565129

CuとSiO₂との間の極端に薄い拡散障壁としての反応性スパッタ蒸着ナノ結晶ZrN薄膜

Reactively Sputtered Nanocrystalline ZrN Film as Extremely Thin Diffusion Barrier between Cu and SiO₂

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資料名：
巻： 49 号： 5,Issue 3 ページ： 05FA06.1-05FA06.4 発行年： 2010年05月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

CuとSiO₂間に挿入された5nm厚のZrN膜は,少なくとも500°C,30分までのアニールに耐える優れた障壁特性を有することを,X線回折,透過電子顕微鏡,すれすれ入射X線反射率の各測定による分析結果から示した。X線回折パターンは800°CのアニールでCu(111)反射の強度の減少を示し,障壁を通してCuの拡散による薄い障壁の機能低下を示唆した。僅かに窒素過剰の組成の安定相で,均一な形で連続ナノ結晶ZrN膜が形成したことが,得られた優れた特徴の要因であると,著者らは確信した。ZrN膜の形成過程について,低蒸着温度での反応性スパッタの核形成過程に基づいて論じた。(翻訳著者抄録)

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その他の無機化合物の薄膜

引用文献 (12件)：

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O. Kubaschewski, E. L. U. Evans, and D. B. Alcock: Metallurgical Thermochemistry (Pergamon, Oxford, U. K., 1967).
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CuとSiO2との間の極端に薄い拡散障壁としての反応性スパッタ蒸着ナノ結晶ZrN薄膜

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