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J-GLOBAL ID：201002271988139250   整理番号：10A0994755

単一及びステップ熱処理で誘起された中程度リンを含む無電解Ni-P UBMの結晶化挙動

Crystallization Behaviour of Electroless Ni-P UBM with Medium Phosphorous Induced by Single and Step Heat Treatment

著者 (5件)： KANG Han-byul (School of Adv. Material Sci. & Eng., Sungkyunkwan Univ.) ,  KANG Han-byul (Technol. Reliability, System LSI, Samsung Electronics) ,  PARK Jongwoo (Technol. Reliability, System LSI, Samsung Electronics) ,  BAE Jee-hwan (School of Adv. Material Sci. & Eng., Sungkyunkwan Univ.) ,  YANG Cheol-woong (School of Adv. Material Sci. & Eng., Sungkyunkwan Univ.)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 51  号： 10  ページ： 1878-1882 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,単一及びステップ熱処理により誘起された中間リン含有量(約15at%)の無電解Ni-Pの結晶化挙動をその場透過型電子顕微鏡(TEM)観察により調べた。熱処理プロセスを変えると,無電解Ni-P UBMの結晶化挙動が変わった。300°Cで60min保持の単一熱処理後,無電解Ni-P UBMはNi及びNi₃Pを含有していた。150°Cで60min保持後,300°Cで60min保持するステップ熱処理を施すと,Ni及びNi₃Pに加えて,無電解Ni-P UBM中にNi₁₂P₅及びNi₅P₂等のさらに複雑なNi-P化合物が生成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 多段熱処理 ,  *無電解めっき ,  ニッケル合金 ,  リン含有合金 ,  結晶化 ,  *超小形回路技術 ,  ニッケル ,  ニッケル化合物 ,  リン化物
準シソーラス用語： *UBM

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  無電解めっき  (WC08024S)

引用文献 (22件)：

• 1) J. Simon, E. Zakel and H. Reich: Proc. 40th Electronic Components and Technology Conference, (New York, 1990) pp. 412.
• 2) K. Zeng and K. N. Tu: Mater. Sci. Eng. R. 38 (2002) 55.
• 3) J. W. Yoon and S. B. Jung: Surf. Coat. Tech. 200 (2006) 4440.
• 4) H. B. Kang, J. W. Lee, J. H. Bae, M. H. Park, J. W. Yoon, S. B. Jung, J. S. Ju and C. W. Yang: J. Mater. Res. 23 (2008) 2195.
• 5) H. B. Kang, J. H. Bae, J. W. Lee, M. H. Park, J. W. Yoon, S. B. Jung and C. W. Yang: J. Electron. Mater. 37 (2008) 84.

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱処理 ,  誘起 ,  リン ,  電解 ,  Ni ,  UBM ,  結晶化挙動