横方向に作製したFe<sub>3</sub>Si/Siスピンバルブデバイスにおける非局所および局所磁気抵抗信号の比較

ANDO Yuichiro; KASAHARA Kenji; YAMANE Kazutaka; HAMAYA Kohei; HAMAYA Kohei; SAWANO Kentarou; KIMURA Takashi; MIYAO Masanobu

文献

J-GLOBAL ID：201002272096552184 整理番号：10A1021672

横方向に作製したFe₃Si/Siスピンバルブデバイスにおける非局所および局所磁気抵抗信号の比較

Comparison of Nonlocal and Local Magnetoresistance Signals in Laterally Fabricated Fe₃Si/Si Spin-Valve Devices

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資料名：
巻： 3 号： 9 ページ： 093001.1-093001.3 発行年： 2010年09月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

我々は,エピタキシャル強磁性Fe₃Si接触をもつSiベース横方向スピンバルブデバイスにおいて非局所磁気抵抗(MR)曲線と局所MR曲線の詳細な比較を行なった。このデバイスでは局所MRは強磁性接触の異方的MRから生じる。我々は,非局所MR信号が接触の磁化逆転に明白に依存することを見出し,それらは二つの強磁性接触間の磁気配位がほぼ反平行になるとき正あるいは負のピーク値を示した。これらの特徴は,得られた非局所MR信号を疑わしい信号から区別することができることを意味し,Siにおけるスピン輸送の信頼できる結果を示している。(翻訳著者抄録)

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金属の電子伝導一般

引用文献 (18件)：

SUGAHARA, S. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 2307
MARUKAME, T. IEDM Tech. Dig., 2009. 2009, 215
JONKER, B. T. Nat. Phys. 2007, 3, 542
APPELBAUM, I. Nature. 2007, 447, 295
VAN'T ERVE, O. M. J. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 212109

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横方向に作製したFe3Si/Siスピンバルブデバイスにおける非局所および局所磁気抵抗信号の比較

横方向に作製したFe₃Si/Siスピンバルブデバイスにおける非局所および局所磁気抵抗信号の比較