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J-GLOBAL ID：201002272877686054   整理番号：10A0117854

トリス(ジメチルアミノ)ホウ素ガスを用いてプラズマ支援化学蒸着によって堆積した水素含有窒化ホウ素炭素膜の誘電特性に及ぼす高周波電力の効果

Effect of the radio-frequency power on the dielectric properties of hydrogen-containing boron carbon nitride films deposited by plasma-assisted chemical vapor deposition using tris(dimethylamino)boron gas

著者 (6件)： AOKI Hidemitsu (Dep. of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka Univ., 2-l Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  MASUZUMI Takuro (Dep. of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka Univ., 2-l Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  HARA Makoto (Dep. of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka Univ., 2-l Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  WATANABE Daisuke (Dep. of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka Univ., 2-l Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  KIMURA Chiharu (Dep. of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka Univ., 2-l Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  SUGINO Takashi (Dep. of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka Univ., 2-l Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 8  ページ： 2102-2104  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原料ガスとしてトリス(ジメチルアミノ)ホウ素を使って堆積した水素含有窒化ホウ素炭素膜(BCNH膜)の性質を研究した。BCNH膜の誘電率(k)は,堆積に使用した高周波プラズマ電力の低下につれ減少し,10Wでは1.8に低下させることができた。熱脱着分光解析によって,膜が大量の水素を含んでいることが明らかになった。Fourier変換赤外分光ではメチル基中のC-Hの左右不同の伸張モードに起因する吸収バンドが2960cm^-1に観察された。低い分極率を持つC-H結合の数を増すことによって低いk値を達成できると考えられる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 炭素化合物 ,  ホウ素化合物 ,  *窒化物 ,  水素化物 ,  *プラズマCVD ,  誘電体薄膜 ,  *誘電率 ,  熱脱着スペクトル ,  Fourier変換赤外分光分析 ,  C-H結合 ,  分極率 ,  高周波放電 ,  赤外吸収スペクトル ,  FTIRスペクトル ,  *窒化ホウ素炭素

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  誘電体一般  (BM05010F)

物質索引 (1件)： トリス(ジメチルアミノ)ほう素

タイトルに関連する用語 (8件)： ホウ素 ,  プラズマ支援化学蒸着 ,  堆積 ,  水素 ,  窒化ホウ素 ,  炭素膜 ,  誘電特性 ,  高周波電力