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J-GLOBAL ID：201002272995768251   整理番号：10A0066038

Si添加による立方晶窒化ホウ素薄膜の密着性向上と厚膜化

Increase in Adhesion Strength and Thickness of Cubic Boron Nitride Thin Films by Silicon Addition

著者 (7件)： 大堀鉄太郎 (長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター) ,  白幡淳 (長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター) ,  浅見廣樹 (長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター) ,  鈴木常生 (長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター) ,  中山忠親 (長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター) ,  末松久幸 (長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター) ,  新原晧一 (長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター)
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 74  号： 1  ページ： 36-41 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 立方晶窒化ホウ素(c-BN)は,ダイヤモンドと異なり,耐熱温度が高く,鉄鋼材料と不活性という特性から研削・切削工具に応用されている。本研究では,c-BN薄膜の作製にRFマグネトロンスパッタリングによるコンビナトリアル手法を適用した。第3元素として基板材料との親和性が高く,B,Nと親和性が低いSiに着目し,Siの添加濃度を連続的に変化させた薄膜の合成を試みた。また,Si添加c-BN薄膜の成膜時間を変化させ,厚膜化について検討した。ターゲットに対しSiを偏在させることにより,Si含有量が連続的に変化した薄膜が得られた。5%以上のSiの添加で薄膜の密着性が改善され,5.2%Siの場合,850nmのc-BN:Si薄膜が得られた。この薄膜は34GPa以上のナノインデンテーション硬さを示した。

シソーラス用語： セラミック ,  *窒化ホウ素 ,  添加物効果 ,  ケイ素 ,  *薄膜成長 ,  *セラミック工具 ,  スパッタ蒸着 ,  RFスパッタリング ,  *マグネトロンスパッタリング ,  コンビナトリアルケミストリー ,  親和性 ,  濃度分布 ,  厚膜 ,  堆積速度 ,  膜厚 ,  密着性 ,  ナノインデンテーション ,  押込硬さ ,  相組成 ,  FTIR分光法 ,  Rutherford散乱分光法 ,  表面構造 ,  走査電子顕微鏡 ,  剥離
準シソーラス用語： 立方晶窒化ホウ素 ,  表面組織

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (22件)：

• 1) P. B. Mirkarimi, K. F. McCartry and D. L. Medlin: Mater. Sci. Eng. R21(1997) 47-100.
• 2) S. Matsumoto and W. J. Zhang: Diamond Relat. Mater. 10(2001) 1868-1874.
• 3) K. Yamamoto, M. Keunecke, K. Bewilogua, Z. Czigany and L. Hultman: Surf. Coat. Technol. 142-144(2001) 881-888.
• 4) S. Ulrich, E. Nold, K. Sell, M. Stuber, J. Ye and C. Ziebert: Surf. Coat. Technol. 200(2006) 6465-6468.
• 5) A. Kolitsch, X. Wang, D. Manova, W. Fukarek, W. Moller and S. Oswald: Diamond Relat. Mater. 8(1999) 386-390.

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  立方晶窒化ホウ素 ,  薄膜 ,  密着性 ,  厚膜