文献

J-GLOBAL ID：201002274240875158   整理番号：10A0700802

曲げ負荷条件でのマイクロサイズSU-8カラムとケイ素基板との接着強度に及ぼすフォトレジストパターンのアスペクト比の効果

Effects of Aspect Ratio of Photoresist Patterns on Adhesive Strength between Microsized SU-8 Columns and Silicon Substrate under Bend Loading Condition

著者 (4件)： ISHIYAMA Chiemi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SHIBATA Akinobu (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SONE Masato (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  HIGO Yakichi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 6,Issue 2  ページ： 06GN14.1-06GN14.5  発行年： 2010年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カラムのアスペクト比効果を明らかにするため,曲げ負荷条件でのマイクロサイズSU-8カラムとケイ素基板との接着強度を研究した。根元の最大引っ張り強度は,SU-8カラムの高アスペクト比(1.4-2)の範囲内で同じであったが,曲げ負荷により剥離亀裂が起きた。(モードI)この結果から,剥離は根元の最大引っ張り強度により誘起されたことを示した。一方,最大引っ張り応力は試料の低アスペクト比の範囲(0.8-1.1)内で不規則に変化し,剥離表面の特徴は高アスペクト比の範囲内の剥離特徴と異なることが,結果から示された。この結果から,剥離モードは剥離モードがモードIからモードIIあるいは複雑なモードに変化することが示唆される。すべての結果から,接着曲げ試験から得られた1.4以上の高アスペクト比の範囲でのSU-8カラムの接着強度を,この研究において根元の最大引っ張り応力(接着曲げ強度)として解析できることが示された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  *アスペクト比 ,  ナノ構造 ,  *柱状晶 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *接着強さ ,  引張強さ ,  半導体 ,  *フォトレジストSU-8 ,  機械的性質 ,  強度
準シソーラス用語： *SU-8

分類 (1件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C)

引用文献 (20件)：

• R. Perez, N. Chaillet, K. Domanski, P. Janus, and P. Grabiec: Sens. Actuators A 128(2006)367.
• R. Buchner, C. Sosna, M. Maiwald, W. Benecke, and W. Lang: Sens. Actuators A 130-131(2006)262.
• W. Dieterle: Annu. Rev. Control 29(2005)273.
• M. C. Wu: J. Lightwave Technol.24(2006)4433.
• M. Yano: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron.11(2005)383.

タイトルに関連する用語 (7件)： 曲げ ,  マイクロ ,  サイズ ,  カラム ,  ケイ素基板 ,  接着強度 ,  フォトレジストパターン