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J-GLOBAL ID：201002274248962157   整理番号：10A0048866

光電気化学エッチングによる6H-SiC基板上の裸多孔質表面の形成

Formation of Bare Porous Surface on 6H-SiC Substrates by Photo-Electrochemical Etching

著者 (2件)： TANAKA Akira (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KATSUNO Hironobu (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 12  ページ： 120217.1-120217.3  発行年： 2009年12月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiC基板上に裸の多孔質表面を得るための新しい方法を提案した。多孔質層を形成するための光電気化学エッチングの利用では一般にスキン層が創られる。エッチング工程のその場観察から,細孔形成過程の終わりに暗い期間を導入することで,スキン層が剥がせることを明らかにした。暗条件はエッチングモードを電解研磨モードに変え,スキン層の真下の領域に気泡を生成した。スキン層の剥がれは閉込められた気泡内の圧力増加による持ち上げの帰結である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 光電気化学反応 ,  *エッチング ,  *炭化ケイ素 ,  *多孔質体 ,  その場観察 ,  電解研磨 ,  剥離 ,  気泡 ,  *6H-炭化ケイ素 ,  機械工作
準シソーラス用語： *化学エッチング ,  *6H-SiC

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (25件)：

• T. Matsumoto, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futagi, H. Mimura, and Y. Kanemitsu: Appl. Phys. Lett.64(1994)226.
• W. Shin, K. Ishida. W.-S. Seo, Y. Suzuki, and K. Koumoto: Inst. Phys. Conf. Ser.142(1996)1071.
• S. E. Saddow, M. Mynbaeva, M. C. D. Smith, A. N. Smirnov, and V. Dimitriev: Appl. Surf. Sci.184(2001)72.
• J. K. Jeong and H. J. Kim: J. Electrochem. Soc.150(2003)090.
• C. K. Inoki, T. S. Kuan, C. D. Lee, A. Sagar, R. M. Feenstra, D. D. Koleske, D. J. Diaz, P. W. Bohn, and I. Adesida: J. Electron. Mater.32(2003)855.

タイトルに関連する用語 (3件)： 光電気化学エッチング ,  6H-SiC ,  多孔質