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J-GLOBAL ID：201002276017915272   整理番号：10A0594085

SiC-JFET駆動用ゲート回路の開発

Development of Gate Drive Circuit for Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistor

著者 (8件)： 伊勢慶一 (岩手大) ,  田仲泰 (岩手大) ,  高橋和貴 (岩手大) ,  高木浩一 (岩手大) ,  和気正芳 (高エネルギー加速器研究機構) ,  岡村勝也 (高エネルギー加速器研究機構) ,  高山健 (高エネルギー加速器研究機構) ,  JIANG Weihua (長岡技科大)
資料名： 電気学会パルスパワー研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： PPT-10  号： 24-28.30-35  ページ： 25-30  発行年： 2010年05月14日 
JST資料番号： L4030A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高エネルギー加速器に使用されているシンクロトロンにおいて,バンチの周回に同期して連続的にパルス電圧を発生させるスイッチング電源を必要とするが,現在は,スイッチング電源は,MOSFETを用いたフルブリッジ回路によって構成されている。シリコンSiを使用したMOSFETの物性的な限界をこえ,高性能化を実現する可能性のあるシリコンカーバイトで製作されたSiC-JFETを開発しその特性解析を行った。SiC-JFETの基礎特性やSiC-JFETを連続動作させるためのゲート回路の製作を行った。さらに,そのゲート回路を用いて実際にSiC-JFETのスイッチング試験を行った。これらの結果から,SiのMOSFETの代替え素子として十分な性能を有していることが確認出来た。

シソーラス用語： *スイッチングレギュレータ ,  シンクロトロン ,  *炭化ケイ素 ,  *接合形FET ,  性能分析 ,  *ゲート回路
準シソーラス用語： *スイッチング電源

分類 (1件)： 円形加速器  (BE02020X)

引用文献 (15件)：

• 亀井亨, 木原元央: 加速器科学, 丸善 (1993)
• 木村嘉孝: 高エネルギー加速器, 共立 (2008)
• M. Conte and W. W. Mackay: An Introduction to the Physics of Particle Accelerators, World Scientific (2008)
• K. Takayama and J. Kishiro: “Induction Synchrotron”, Nucl. Instr. and Meth. A, Vol.451, pp. 304-317(2000)
• 高山健・下崎義人・木代純逸:「誘導加速シンクロトロンの実証とその応用」, 口本物理学会誌, Vol.59, No.9, pp. 601-610(2004)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  JFET ,  ゲート回路 ,  開発