文献

J-GLOBAL ID：201002276756990428   整理番号：10A0700712

線幅粗さを低減するための化学増幅分子レジストの分解と粗さ分析

Decomposition and Roughness Analysis of Chemically Amplified Molecular Resist for Reducing Line Width Roughness

著者 (6件)： SHIONO Daiju (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  HADA Hideo (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SATO Kazufumi (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  FUKUSHIMA Yasuyuki (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  WATANABE Takeo (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  KINOSHITA Hiroo (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 6,Issue 2  ページ： 06GF05.1-06GF05.5  発行年： 2010年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子当り僅か一個の保護基を含む分子レジストを設計しProt-1として合成した。Prot-1の構造と純度を確認後,Prot-1により処方したレジストAを基本材料として作製した。レジストAは良好なコントラスト曲線を示した。電子ビーム照射による分解挙動を確認するために,高速液体クロマトグラフィー(HPLC)を用いてレジストAを分析した。HPLC分析から,電子ビーム照射によるレジストAの溶解切換はProt-1の脱保護反応により生じることが分かった。電子ビームリソグラフィーを用いてレジストAの分解能とラインエッジ粗さ(LER)を評価した。加速電圧50kVの電子ビーム描画装置を用いて,36μC/cm²でレジストAは25nmハーフピッチ(hp)分解能と部分分解した20nm hpを示した。100nm hp線/空間パターンに対するレジストAのLERは3.8nm(3σ)で,これはZEP520A非化学増幅レジストに似ていた。照射した領域におけるレジストAの僅か一個の脱保護基の均一な脱保護反応はLERと分解能を改善することを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 脱保護基 ,  基 ,  *化学増幅レジスト ,  電子ビーム ,  電子照射 ,  高速液体クロマトグラフィー ,  *表面粗さ ,  電子ビームリソグラフィー
準シソーラス用語： 脱保護 ,  保護基 ,  分子レジスト ,  ラインエッジ粗さ ,  線幅粗さ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (21件)：

• ITRS Roadmap [http://www.itrs.net].
• M. Yoshiiwa, H. Kageyama, Y. Shirota, F. Wakaya, and K. Gamo: Appl. Phys. Lett.69(1996)2605.
• S. Hattori, S. Saito, K. Asakawa, T. Koshiha, and T. Nakasugi: Proc. SPIE 6923(2008)69230J.
• S. Tanaka, M. Murakami, K. Fukushima, N. Kawano, Y. Uenoyama, K. Ito, H. Ohno, and N. Matsumoto: Proc. SPIE 7273(2009)72732M.
• K. Okuyama: Proc. SPIE 7273(2009)72732U.

タイトルに関連する用語 (7件)： 線幅粗さ ,  化学 ,  増幅 ,  分子レジスト ,  分解 ,  粗さ ,  分析