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J-GLOBAL ID：201002277285262156   整理番号：10A1542877

光及び極端紫外リソグラフィーにおけるマスクトポグラフィー位相効果及び波面収差

Mask-topography-induced phase effects and wave aberrations in optical and extreme ultraviolet lithography

著者 (4件)： ERDMANN A. (Fraunhofer Inst. for Integrated Systems and Device Technol. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  SHAO F. (Fraunhofer Inst. for Integrated Systems and Device Technol. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  EVANSCHITZKY P. (Fraunhofer Inst. for Integrated Systems and Device Technol. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  FUEHNER T. (Fraunhofer Inst. for Integrated Systems and Device Technol. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 6  ページ： C6J1  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厳密な電磁場シミュレーションを応用して,先端光及び極端紫外リソグラフィーに関する,マスクからの光回折における位相効果を研究した。投写レンズの波面収差とこれらの位相効果とのアナロジー及びリソグラフィープロセス性能に及ぼすそれらの影響を議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： フォトリソグラフィー ,  *マスク ,  *トポグラフィー【形態】 ,  *位相 ,  *波面収差 ,  レンズ
準シソーラス用語： *光リソグラフィー ,  *極端紫外線リソグラフィー ,  投写レンズ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 極端紫外 ,  リソグラフィー ,  マスク ,  トポグラフィー ,  位相 ,  波面収差