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J-GLOBAL ID：201002278688855323   整理番号：10A1542848

液体ガリウムの界面グラファイト化を通したグラフェン電界効果トランジスタ中へのレジストパターンの直接変換

Direct transformation of a resist pattern into a graphene field effect transistor through interfacial graphitization of liquid gallium

著者 (5件)： FUJITA Jun-ichi (PRESTO JST, Japan Sci. and Technol. Co., Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan and Inst. of Applied Physics, Univ. of ...) ,  MIYAZAWA Yosuke (PRESTO JST, Japan Sci. and Technol. Co., Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan and Inst. of Applied Physics, Univ. of ...) ,  UEKI Ryuichi (PRESTO JST, Japan Sci. and Technol. Co., Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan and Inst. of Applied Physics, Univ. of ...) ,  SASAKI Mio (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-8573, JPN) ,  SAITO Takeshi (Nanotube Res. Center, AIST, Tsukuba 305-8565, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 6  ページ： C6D1  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,二酸化シリコン上の極めて薄いレジストパターンが液体ガリウムの界面グラファイト化を通してグラフェンチャネル中へ直接変換することを見いだした。このようにパターン化した電界効果トランジスタはp型電界効果コンダクタンス特性と,-50Vから+50Vの印加電圧範囲で100%の最大コンダクタンス変調を室温で見せた。これは殆どオン/オフ比が2になることに等しい。このようにコンダクタンス変調比は初期のレジスト厚を2nm以下に薄くして改善された。しかし,チャネルコンダクタンスの絶対値もレジストが薄くなると劣化したことから,チャネルコンダクタンスはドメイン境界の電子散乱に支配されていると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ガリウム ,  液体金属 ,  単一層 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *黒鉛化 ,  P型半導体 ,  コンダクタンス ,  電子散乱 ,  *電子線レジスト ,  電子ビームリソグラフィー ,  電流電圧特性 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： グラファイト化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ガリウム ,  界面 ,  グラファイト化 ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  レジストパターン ,  直接変換