電極と量子ドット間の電子トンネルにおける電極上の電子状態の重要性

MURAGUCHI Masakazu; TAKADA Yukihiro; NOMURA Shintaro; ENDOH Tetsuo; SHIRAISHI Kenji

文献

J-GLOBAL ID：201002280448719346 整理番号：10A0500538

電極と量子ドット間の電子トンネルにおける電極上の電子状態の重要性

Importance of the Electronic State on the Electrode in Electron Tunneling Processes between the Electrode and the Quantum Dot

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=10A0500538&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=10A0500538&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=L1370A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： E93-C 号： 5 ページ： 563-568 発行年： 2010年05月01日
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

筆者らは電極の電子状態が,ナノ電子デバイスの電子輸送へ著しく影響することを明らかにした。筆者らは二次元電子ガス(2DEG)から量子ドット(QD)への電子輸送の時間発展を理論的に調査した。ここで,2DEGはナノ電子デバイスの電極を示した。コヒーレント電子輸送が,2DEGの初期電子状態依存性を顕著に改善することを明白に示した。2DEGの電子初期状態をQD以下に限定したとき,2DEGからQDへの電子輸送を強く増強した。筆者らは電極の電子状態制御が,電極構造の修正無しで新しい概念のデバイス機能を実現できる;将来のナノ電子デバイスの新しい制御可能状態を達成できることを提供した。(翻訳著者抄録)

, , , , , , ,
, ,

半導体と絶縁体の電気伝導一般

引用文献 (11件)：

NATROI, K. Ballistic metal-oxide-semiconductor field effect transistor. J. Appl. Phys. 1994, 76, 8, 4879-4890
ISHII, H. Quantum electron transport in kagome-lattice-chain systems with electric fields. Phys. Rev. B. 2007, 73, 23, 235311
SAKURAI, Y. Temperature dependence of electron transport between quantum dots and electron gas. Tech Dig. International Symposium on Nanoscal Transport and Technology, Atsugi, Japan, March 2009. 2009
SAKURAI, Y. Temperature dependence of electron tunneling between two dimensional electron gas and Si quantum dots. Jpn. J., Appl. Phys. 2010, 49, 014001
TAKAHASHI, Y. Size dependence of the characteristics of Si single-electron transistor on SIMOX substrates. IEEE Trans. Electron. Devices. 1996, 43, 8, 1213-1217

, , , ,

前のページに戻る