文献

J-GLOBAL ID：201002283611191256   整理番号：10A0133908

シリコン基板上のグラフェンのエピタキシャル成長過程

Epitaxial Growth Processes of Graphene on Silicon Substrates

著者 (8件)： FUKIDOME Hirokazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIYAMOTO Yu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANDA Hiroyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANDA Hiroyuki (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SAITO Eiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAITO Eiji (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SUEMITSU Maki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUEMITSU Maki (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 1,Issue 2  ページ： 01AH03.1-01AH03.4  発行年： 2010年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 挿入したSiC薄膜を介してシリコン基板上に数層グラフェンをエピタキシャル成長させた。Raman分光法および透過型電子顕微法によりこのシリコン上グラフェン(GOS)材料の詳細な構造的特性評価を行ない,欠陥形成に対するプロセスパラメータの影響を洞察した。結果は,グラフェン中の欠陥が選択的にステップにとどまることを示唆している。グラフェン成長に先だつ,SiC表面の将来の平坦化がこのようにGOS品質の改善に寄与すると予想される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラファイト ,  *エピタクシー ,  剥離 ,  高配向性熱分解グラファイト ,  Ramanスペクトル ,  電子顕微鏡 ,  *欠陥 ,  *パラメータ ,  炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *バッファ層 ,  固相成長 ,  *グラフェン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (23件)：

• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov: Science 306(2004)666.
• A. K. Geim and K. S. Novoselov: Nat. Mater.6(2007)183.
• R. Ruoff: Nat. Nanotechnol.3(2008)10.
• J. Hass, W. A. de Heer, and E. H. Conrad: J. Phys.: Condens. Matter 20(2008)323202.
• D. Hobgood, M. Brady, W. Brixius, G. Fechko, R. Glas, D. Henshall, J. Jenny, R. Leonard, D. Malta, St. G. Müller, V. Tsvetkov, and C. H. Carter, Jr.: Mater. Sci. Forum 338-342(2000)3.

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン基板 ,  グラフェン ,  エピタキシャル成長 ,  過程