文献

J-GLOBAL ID：201002284930578526   整理番号：10A0047569

AlN薄膜中の高密度転位を用いた電気伝導性ナノワイヤの製作

Fabrication of electrically conductive nanowires using high-density dislocations in AlN thin films

著者 (7件)： TOKUMOTO Yuki (Dep. of Advanced Materials Sci., Graduate School of Frontier Sci., The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa ...) ,  AMMA Shin-ichi (Inst. of Engineering Innovation, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo, Tokyo 113-8656, JPN) ,  SHIBATA Naoya (Inst. of Engineering Innovation, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo, Tokyo 113-8656, JPN) ,  MIZOGUCHI Teruyasu (Inst. of Engineering Innovation, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo, Tokyo 113-8656, JPN) ,  EDAGAWA Keiichi (Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN) ,  YAMAMOTO Takahisa (Dep. of Advanced Materials Sci., Graduate School of Frontier Sci., The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa ...) ,  IKUHARA Yuichi (Inst. of Engineering Innovation, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 106  号： 12  ページ： 124307  発行年： 2009年12月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mnを高密度一方向性貫通転位に租ってドープすることにやって絶縁性AlN薄膜中に伝導性ナノワイヤを作製した。透過型電子顕微鏡(TEM)及び高分解能走査型TEMによる転位の微細構造を調べた結果,Mnは転位核に析出していることが明らかになった。転位周辺のひずみ分析によりMnイオンと転位周辺のひずみ場の間の強い引力性相互作用が転位核の近辺にのみMnの閉じ込めを増強することが分かった。接触電流モードでの原子間力顕微鏡測定の結果,Mnドープ転位に沿った局部的な伝導が検出された。この結果は薄膜の転位を用いた機能的なナノワイヤが作製できる可能性を開くものである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  MOCVD ,  *ナノワイヤ ,  *導電性 ,  貫通転位 ,  *転位密度 ,  ドーパント ,  マンガン ,  偏析 ,  歪場 ,  電子顕微鏡観察 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  絶縁膜

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlN ,  薄膜 ,  高密度 ,  転位 ,  電気伝導性 ,  ナノワイヤ ,  製作