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J-GLOBAL ID：201002286232950670   整理番号：10A0178099

周期的なナノファセットを持つSiC基板上のグラフェンにおける異方的な輸送

Anisotropic transport in graphene on SiC substrate with periodic nanofacets

著者 (10件)： ODAKA S. (MANA, NIMS, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  MIYAZAKI H. (MANA, NIMS, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  LI S.-l. (MANA, NIMS, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  KANDA A. (JST-CREST, Kawaguchi, Saitama 332-0012, JPN) ,  MORITA K. (Kyushu Univ., Fukuoka, Fukuoka 812-0395, JPN) ,  TANAKA S. (Kyushu Univ., Fukuoka, Fukuoka 812-0395, JPN) ,  MIYATA Y. (AIST, Tsukuba, Ibaraki 305-8562, JPN) ,  KATAURA H. (AIST, Tsukuba, Ibaraki 305-8562, JPN) ,  TSUKAGOSHI K. (MANA, NIMS, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  AOYAGI Y. (JST-CREST, Kawaguchi, Saitama 332-0012, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 6  ページ： 062111  発行年： 2010年02月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己組織化した周期的なナノファセット構造を持つ微斜面のSiC基板上に作製したグラフェンを基本とする電界効果トランジスタの異方的な輸送特性を研究した。微斜面の基板上に熱的に成長させたグラフェンは以下の二つの領域を有する:即ち,原子的に平坦なテラスおよびナノファセット(原子的な階段を有する傾斜面)である。ナノファセット状のグラフェン薄膜は二つの隣接するテラス薄膜の間に連続的に結合されている。二つの領域におけるグラフェンの性質の違いを示す異方的な輸送特性が明瞭に観測された。観測される異方的な特性を,伝導度と電子移動度に対するナノファセット構造の効果に基づいて議論する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ファセット ,  基板 ,  炭化ケイ素 ,  *グラファイト ,  自己組織化 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電気伝導 ,  異方性 ,  微斜面 ,  表面テラス ,  *電気伝導率 ,  キャリア移動度 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ナノファセット

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 周期 ,  ナノファセット ,  SiC基板 ,  グラフェン ,  輸送