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J-GLOBAL ID：201002286428923760   整理番号：10A0216989

ダイヤモンド{111}メサ上の原子論的に無段階の表面の成長

Growth of atomically step-free surface on diamond {111} mesas

著者 (8件)： TOKUDA Norio (Energy Technol. Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, Ibaraki ...) ,  TOKUDA Norio (Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN) ,  UMEZAWA Hitoshi (Diamond Res. Center, AIST, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  YAMABE Kikuo (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  YAMABE Kikuo (Tsukuba Res. Center for Interdisciplinary Materials Sci. (TIMS), Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  OKUSHI Hideyo (Energy Technol. Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, Ibaraki ...) ,  YAMASAKI Satoshi (Energy Technol. Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, Ibaraki ...) ,  YAMASAKI Satoshi (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 19  号： 4  ページ： 288-290  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波プラズマ増強化学蒸着によるダイヤモンドのホモエピタクシーについて,{111}基板上で調べた。気相の0.025%の低いCH₄/H₂比での成長は,メサにスクリュー転位が全くないとき,ダイヤモンド{111}基板の10×10μm²メサにわたって原子論的に無段階の表面の生成をもたらす。これは理想的な水平成長で達成され,二次元テラス核生成が完全に抑制された。無段階表面の選択的形成の用途とダイヤモンド膜の水平成長は,ダイヤモンドを使用する高品質の電子デバイスの実現に道を切り開くだろう。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  メサ構造 ,  ホモエピタクシー ,  *プラズマCVD ,  表面構造 ,  ナノ構造 ,  平面

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (3件)： ダイヤモンド ,  段階 ,  成長