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J-GLOBAL ID：201002292459583320   整理番号：10A0048972

(111)配向InGaAsチャンネル上に作製した高電子移動度の金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ

High Electron Mobility Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated on (111)-Oriented InGaAs Channels

著者 (12件)： ISHII Hiroyuki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  MIYATA Noriyuki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  URABE Yuji (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  ITATANI Taro (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  YASUDA Tetsuji (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  YAMADA Hisashi (Sumitomo Chemical, Ibaraki, JPN) ,  FUKUHARA Noboru (Sumitomo Chemical, Ibaraki, JPN) ,  HATA Masahiko (Sumitomo Chemical, Ibaraki, JPN) ,  DEURA Momoko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUGIYAMA Masakazu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 12  ページ： 121101.1-121101.3  発行年： 2009年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_0.53Ga_0.47Asの(111)A表面上に金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ(MISFET)を初めて作製した。Al₂O₃ゲート誘電体は硫黄置換したInGaAs表面上に原子層堆積により形成した。(111)A上のMISFETは(100)上のそれよりもチャネル移動度が高く,高い表面キャリア濃度でもSiに比べて100%の向上を実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  MIS構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  酸化膜 ,  酸化アルミニウム ,  化学蒸着 ,  キャリア密度 ,  *キャリア移動度 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ゲート誘電体 ,  原子層堆積 ,  チャネル移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (24件)：

• TAKAGI, S. IEEE Trans. Electron Devices. 2008, 55, 21
• PASSLACK, M. Materials Fundamentals of Gate Dielectrics. 2005, 403
• XUAN, Y. IEEE Electron Device Lett. 2007, 28, 935
• SHAHRJERDI, D. IEEE Electron Device Lett. 2008, 29, 557
• ZHENG, J. F. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 232904

タイトルに関連する用語 (7件)： 配向 ,  InGaAs ,  チャンネル ,  作製 ,  電子移動度 ,  絶縁体 ,  電界効果トランジスタ