III-V族半導体材料の大量製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-538463
公開番号（公開出願番号）：特表2010-510167
出願日： 2007年11月16日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：

本発明は、III族-N(窒素)化合物半導体ウェハ、特にGaNウェハを生産するように最適化された方法および装置に関する。具体的には本発明の方法は、化学蒸着(CVD)リアクタ内の分離弁フィクスチャ(isolation valve fixture)の表面への不必要な材料の形成を実質的に防ぐことに関する。本発明は、反応室内で、1つの反応物としてのある量の気体III族前駆体を、他の反応物としてのある量の気体V族成分と反応させることによって単結晶III-V族半導体材料を形成するシステムおよび方法において使用される分離弁の表面へのGaCl3および反応副生物の堆積/凝縮を制限する装置および方法を提供する。

請求項（抜粋）：

単結晶III-V族半導体材料の大量生産を提供するシステムであって、 1つの反応物として使用されるIII族前駆体の外部大容積供給源と、他の反応物として使用されるV族成分の外部大容積供給源と、前記III族前駆体およびV族成分を受け取り、反応させて前記単結晶III-V族半導体材料を形成する温度制御された反応室とを備えることを特徴とするシステム。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , C23C 16/448 , C30B 25/02

FI (4件)：

C30B29/38 D , H01L21/205 , C23C16/448 , C30B25/02 Z

Fターム (80件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EA02 , 4G077EA06 , 4G077EG03 , 4G077EG13 , 4G077EG15 , 4G077EG18 , 4G077EG21 , 4G077EG22 , 4G077EG23 , 4G077EG24 , 4G077EG25 , 4G077EG26 , 4G077EG30 , 4G077EH01 , 4G077EH06 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA01 , 4G077TA04 , 4G077TA08 , 4G077TA11 , 4G077TA12 , 4G077TB03 , 4G077TC01 , 4G077TC03 , 4G077TC05 , 4G077TD02 , 4G077TD06 , 4G077TD08 , 4G077TF04 , 4G077TF06 , 4G077TH06 , 4G077TH07 , 4G077TH11 , 4G077TJ02 , 4G077TJ03 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030EA01 , 4K030EA04 , 4K030EA06 , 4K030EA12 , 4K030EA14 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030JA05 , 4K030KA09 , 4K030KA10 , 4K030KA12 , 4K030KA24 , 4K030KA25 , 4K030KA26 , 4K030KA46 , 4K030LA14 , 5F045AA03 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EC01 , 5F045EC07 , 5F045EF13 , 5F045EG01 , 5F045EJ04

引用特許：

審査官引用 (6件)

AlNエピタキシャル層の成長方法及び気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-028489 出願人：農工大ティー・エル・オー株式会社
特開昭59-188118
特開昭55-117229

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