エピタキシャルウエハの製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-321395
公開番号（公開出願番号）：特開2010-147182
出願日： 2008年12月17日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：

【課題】空洞が生じることを抑制し、かつ手間およびコストを低減したスーパージャンクション構造を有するエピタキシャルウエハの製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】エピタキシャルウエハの製造方法は、スーパージャンクション構造12を有するエピタキシャルウエハ10の製造方法であって、以下の工程を備えている。基板11を準備する。基板11上に第1導電型の第1の層を形成する。第1の層にメサ構造を形成する。第1の層のメサ構造の凹部に、液相成長法により第2導電型の第2の層を形成する。半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。エピタキシャルウエハ10を製造する。エピタキシャルウエハ10上に、半導体層を形成する。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

スーパージャンクション構造を有するエピタキシャルウエハの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上に第1導電型の第1の層を形成する工程と、前記第1の層にメサ構造を形成する工程と、前記第1の層の前記メサ構造の凹部に、液相成長法により第2導電型の第2の層を形成する工程とを備えた、エピタキシャルウエハの製造方法。

IPC (10件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 29/12 , H01L 21/329 , H01L 21/208 , C30B 29/36 , C30B 19/12 , H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (11件)：

H01L29/78 658E , H01L29/78 658G , H01L29/78 655A , H01L29/78 653A , H01L29/78 652T , H01L29/78 652H , H01L29/91 A , H01L21/208 D , C30B29/36 A , C30B19/12 , H01L29/48 F

Fターム (42件)：

4G077AA02 , 4G077CG01 , 4G077ED04 , 4G077EE02 , 4G077EE06 , 4G077EF01 , 4G077FJ06 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077QA01 , 4G077QA22 , 4G077QA73 , 4G077QA74 , 4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB21 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104FF01 , 4M104FF31 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 5F053AA03 , 5F053DD02 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053HH01 , 5F053HH04 , 5F053JJ01 , 5F053JJ03 , 5F053KK10 , 5F053LL10 , 5F053PP02 , 5F053RR20

引用特許：

出願人引用 (1件)

パワーMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-076503 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

審査官引用 (3件)

半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-376765 出願人：富士電機ホールディングス株式会社
半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-352010 出願人：株式会社デンソー, 株式会社SUMCO
パワーMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-076503 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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