特許
J-GLOBAL ID：201003003292259897

半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法

発明者：
鴫原 久雄

鴫原 久雄 について

, 
鴫原 宏美

鴫原 宏美 について

, 
矢島 明

矢島 明 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-230239
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192867
出願日： 2009年10月02日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：
【課題】一般的なウエハ・レベル・パッケージ・プロセスでは、メッキ・プロセス中におけるスクライブ領域のアルミニウム系パッド電極の腐食を防止するために、製品領域における有機系保護膜と同層のパッド保護用樹脂膜でパッド電極をカバーしている。しかし、これでは再配線形成後にスクライブ領域のパッド電極に対するプローブ検査が実行できない。【解決手段】本願発明は、ウエハ・レベル・パッケージ方式の半導体集積回路装置の製造方法において、チップ領域およびスクライブ領域の有機系保護膜を相互に連結した一体の膜パターンとし、ペレタイズ工程においては、スクライブ領域中央部の有機系保護膜を含む表層部分を先ず、レーザ・グルービングで除去することで幅広の溝を形成し、その後、この溝内の中央部をダイシング処理することで、ここのチップ領域に分離するものである。【選択図】図17
請求項（抜粋）：
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法: (a)複数のチップ領域および、それらの間のスクライブ領域を有する半導体ウエハのデバイス面上の各チップ領域にチップ上再配線パターンを形成するとともに、前記スクライブ領域に、アルミニウム系パッド電極に電気的に接続された検査用再配線パターンを形成する工程; (b)前記工程(a)の後、前記チップ上再配線パターンの表面を含む前記デバイス面上のほぼ全面に、有機系絶縁膜を形成する工程; (c)前記チップ上再配線パターンの上方の前記有機系絶縁膜にバンプ形成用開口を形成する工程; (d)前記バンプ形成用開口部の前記チップ上再配線パターン上に、バンプ電極を形成する工程; (e)前記工程(d)の後、前記スクライブ領域に対して、レーザ処理を実行することにより、前記検査用再配線パターンおよび前記アルミニウム系パッド電極を除去する工程; (f)前記レーザ処理を実行した領域に対して、回転ブレードを用いたダイシング処理を実行することにより、前記半導体ウエハを各チップ領域に分離する工程、 ここで、前記工程(d)の完了時点において、前記有機系絶縁膜は、前記バンプ形成用開口を除く前記チップ領域のほぼ全領域、および、前記スクライブ領域のほぼ全領域を被覆した一体の膜パターンを構成している。
IPC (4件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 23/12
FI (6件)：
H01L21/78 Q ,  H01L21/88 T ,  H01L23/12 501P ,  H01L21/78 F ,  H01L21/78 L ,  H01L21/78 B
Fターム (41件)：
5F033HH07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ53 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT01 ,  5F033VV01 ,  5F033VV07 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28
引用特許：
審査官引用 (3件)

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