特許
J-GLOBAL ID：200903030678001041
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高田 守
, 高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-012367
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194469
出願日： 2006年01月20日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】ウェハのダイシングを行う際、ブレードの目詰まりを抑えながら、チッピングのサイズを小さくする。【解決手段】ウェハ34を切削する際、粒度が#3000以上の砥粒を含み、先端部がV字形状のメタルボンドブレード31を用いて、V字形状の肩の部分がウェハ34の表面よりも下側(基板表面からの深さZ2)に入り込むようにして切削する。このように加工することにより、切削抵抗が上昇し、ブレードの目詰まりを防止することができる。これにより、ブレードの目詰まりを防止しながら、チッピングのサイズを小さく抑えることができる。【選択図】図21
請求項（抜粋）：
基板をブレードにより切削する半導体装置の製造方法であって、
砥粒の粒度が#3000以上であり、進行方向に垂直な断面の先端部の平坦面の幅が、ブレード幅の40%以下であるV字形状の第1ブレードを用いて、前記V字形状の肩の部分を前記基板表面よりも内部側に入り込ませ、前記基板を切削する第1工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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