特許
J-GLOBAL ID：201003004132163750
熱処理装置および熱処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-019270
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177496
出願日： 2009年01月30日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：
【課題】基板に与えるダメージを抑制しつつ、注入された不純物の活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。【解決手段】コンデンサ93と、可変コイル94と、フラッシュランプFLと、IGBT等のスイッチング素子96とが直列に接続されている。制御部3は、オンオフ周期が10マイクロ秒以上500マイクロ秒以下であってオン時間とオフ時間とが1:10〜10:1の範囲内の一定比率となるパルスをスイッチング素子96のゲートに出力してそのオンオフ動作を制御し、フラッシュランプFLが発光を開始してから発光出力が最大値に到達するまでの時間が10ミリ秒以上100ミリ秒以下となり、フラッシュランプFLの総発光時間が20ミリ秒以上1000ミリ秒以下となるようにフラッシュランプFLへの通電を制御する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に光を照射するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプ、コンデンサおよびコイルと直列に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子のゲートにパルスを出力して前記スイッチング素子をオンオフすることによって前記フラッシュランプへの通電を制御する通電制御手段と、
を備え、
前記通電制御手段は、オンオフ周期が10マイクロ秒以上500マイクロ秒以下であってオン時間とオフ時間とが1:10〜10:1の範囲内の一定比率となるパルスを前記スイッチング素子のゲートに出力し、前記フラッシュランプが発光を開始してから発光出力が最大値に到達するまでの時間が10ミリ秒以上100ミリ秒以下となり、前記フラッシュランプの総発光時間が20ミリ秒以上1000ミリ秒以下となるように前記フラッシュランプへの通電を制御することを特徴とする熱処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/26 T
, H01L21/265 602B
