半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：速水進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-156470
公開番号（公開出願番号）：特開2009-302373
出願日： 2008年06月16日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：

【課題】不純物の高活性化を図るとともに、半導体装置の性能の低下を防止できる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基板1上に、シリコン酸化膜よりも比誘電率の高い材料により構成された高誘電率絶縁膜を有するゲート絶縁膜3を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜3上に金属を有するゲート電極4を形成する工程と、前記ゲート電極4をマスクとして、前記基板に不純物を注入して、エクステンション領域5を形成する工程と、前記不純物が注入された前記基板1をフラッシュランプアニールあるいはレーザアニールにより、熱処理する工程とを含む。熱処理する工程は、前記基板1に対し所定のピーク強度のパルス光を照射する第一の工程と、前記第一の工程のパルス光のピーク強度よりも低いピーク強度のパルス光を照射する第二の工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、シリコン酸化膜よりも比誘電率の高い材料により構成された高誘電率絶縁膜を有するゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に金属を有するゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとして、前記基板に不純物を注入して、エクステンション領域を形成する工程と、前記不純物が注入された前記基板をフラッシュランプアニールあるいはレーザアニールにより、熱処理する工程とを含み、熱処理する前記工程は、前記基板に対し所定のピーク強度のパルス光を照射する第一の工程と、前記第一の工程のパルス光のピーク強度よりも低いピーク強度のパルス光を照射する第二の工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28 , H01L 21/265

FI (6件)：

H01L29/78 301F , H01L29/58 G , H01L21/28 301R , H01L21/265 602B , H01L21/265 602C , H01L29/78 301S

Fターム (28件)：

4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F140AA00 , 5F140BA01 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BF01 , 5F140BF10 , 5F140BG08 , 5F140BH14 , 5F140BH35 , 5F140BK02 , 5F140BK10 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB04 , 5F140CE18

引用特許：

出願人引用 (2件)

電界効果型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-059560 出願人：NECエレクトロニクス株式会社
電界効果型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-266387 出願人：NECエレクトロニクス株式会社

審査官引用 (6件)

特許第7351638号
リモートスキャッタリングの削減による高パフォーマンスMOSトランジスタのゲート酸化方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-508392 出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
回路製造方法および装置、アニール制御方法および装置、情報記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-112335 出願人：日本電気株式会社

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