特許

J-GLOBAL ID：201003004224143682

化合物半導体装置

発明者： 吉川 俊英
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-142704
公開番号（公開出願番号）：特開2010-245550
出願日： 2010年06月23日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：

【課題】 化合物半導体装置に関し、オン耐圧を高め、また、I-V特性を改善するとともに、保護層を介したリーク電流の発生を抑制する。【解決手段】 GaNのキャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成されたAlxGa1-xN(0<x≦1)のキャリア供給層と、前記キャリア供給層上に形成され、開口を有する走行キャリアと同導電の第一導電型のGaNのGaN系保護層と、前記開口内に形成されたゲート電極とを設ける。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

GaNのキャリア走行層と、 前記キャリア走行層上に形成されたAlxGa1-xN(0<x≦1)のキャリア供給層と、 前記キャリア供給層上に形成され、開口を有する走行キャリアと同導電の第一導電型のGaNのGaN系保護層と、 前記開口内に形成されたゲート電極と、 を備えたことを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 Q

Fターム (23件)：

5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04 ,  5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-142221   出願人：ソニー株式会社
• 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-259681   出願人：日本電気株式会社
• 電界効果型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-005085   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-071001   出願人：株式会社東芝