薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：岡部讓 , 岡部正夫 , 加藤伸晃 , 朝日伸光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-024490
公開番号（公開出願番号）：特開2010-147494
出願日： 2010年02月05日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：

【課題】積層構造のゲート電極をもつ薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極上の絶縁層のステップカバレージの低下を防止し、かつ、前記第1金属層のヒロック(hillock)の生成を防止する。【解決手段】基板上に第1金属層43と第2金属層45を連続して蒸着し、さらに所定幅(W1)を持つ感光膜47を形成する(図5(a))。感光膜47をマスクとして第2金属層45を等方性のウェットエッチング方法で感光膜の幅(W1)よりも1μm乃至4μm程度小さな幅(W2)にパターニングする(図5(b))。次に、感光膜47をマスクとして第1金属層43を異方性エッチング方法で幅(W1)を持つようにパターニングして積層構造のゲート電極を形成する(図5(c))。1μm<W1-W2<4μmの関係にあればステップカバレージの低下とヒロックの両方を防止できる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

アルミニウムを含み、500〜4000Åの厚さの第1金属層を基板上に蒸着する工程と、前記第1金属層上に感光膜を形成せずに、前記第1金属層上に第2金属層を蒸着する工程と、前記第2金属層上に所定幅を持つ単一の感光膜を形成する工程と、前記感光膜をマスクとして使用した単一のエッチング方法で同時に前記第1及び第2金属層をパターニングする工程であって、前記第1金属層は、1μm<W1-W2<4μmの関係を有するように、前記第2金属層の幅(W2)より大きい幅(W1)を有するようにエッチングされる工程と、前記感光膜を除去する工程と、ゲート電極を含む前記基板上に第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜上の、前記ゲート電極と対応する部分に半導体層とオーム接触層を形成する工程と、前記オーム接触層上の両側に前記第1絶縁膜上に延長されるようにソース及びドレイン電極を形成し、前記ソース及びドレイン電極の間の露出された前記オーム接触層の一部を除去する工程と、前記半導体層、前記ソース及びドレイン電極と前記第1絶縁膜を覆う第2絶縁膜を形成する工程とを備える薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28

FI (6件)：

H01L29/78 617L , H01L29/78 617K , H01L29/78 617J , H01L29/78 627C , H01L29/58 G , H01L21/28 301R

Fターム (67件)：

4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD07 , 4M104DD17 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD64 , 4M104DD66 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104EE17 , 4M104FF09 , 4M104FF21 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH03 , 4M104HH13 , 4M104HH15 , 5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK34 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110QQ03 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-227022
液晶パネル用基板とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-273568 出願人：松下電器産業株式会社
薄膜トランジスタマトリクスの製造方法及び薄膜トランジスタマトリクス
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-240136 出願人：富士通株式会社

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