特許
J-GLOBAL ID：201003004917481441

3C-SiC単結晶の製造方法

発明者：
宇治原 徹

宇治原 徹 について

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田中 亮

田中 亮 について

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関 和明

関 和明 について

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竹田 美和

竹田 美和 について


出願人/特許権者：
国立大学法人名古屋大学

国立大学法人名古屋大学 について


代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-075974
公開番号（公開出願番号）：特開2010-228939
出願日： 2009年03月26日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：
【課題】低欠陥密度で種結晶基板としても使用可能な程度に大型である3C-SiC単結晶を容易に成長させることができる3C-SiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】Si-Sc系溶媒に炭素が溶解している原料融液Mを1350°C未満とし、該原料溶液を6H-SiC単結晶基板Sの少なくとも(0001)炭素面に接触させて該面に3C-SiC単結晶を二次元核成長させる。Si-Sc系溶媒は、Si-Sc系溶媒全体を100原子%としたときに、15原子%以上32原子%以下のScを含み残部がSiと不可避不純物からなるのが好ましい。また、前記6H-SiC単結晶基板は、昇華法により作製されたものでもよいし、前記方法により得られた3C-SiC単結晶を種結晶基板としてもよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
液相成長法を用いた3C-SiC単結晶の製造方法であって、 Si-Sc系溶媒に炭素が溶解している原料融液を1350°C未満とし、該原料溶液を6H-SiC単結晶基板の少なくとも(0001)炭素面に接触させて該面に3C-SiC単結晶を二次元核成長させることを特徴とする3C-SiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/04
FI (2件)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04
Fターム (14件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA02 ,  4G077EC08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA38 ,  4G077QA71 ,  4G077QA79
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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