特許
J-GLOBAL ID：201003005061082407

液晶表示装置

発明者：
大和久 芳治

大和久 芳治 について


出願人/特許権者：
株式会社 日立ディスプレイズ

株式会社 日立ディスプレイズ について


代理人 (1件)： 小林 保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-163090
公開番号（公開出願番号）：特開2010-002821
出願日： 2008年06月23日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：
【課題】構成が簡単であるにも拘わらず、薄膜トランジスタの半導体層内にリーク電流の発生を抑制でき、高輝度の表示を実現し得る液晶表示装置の提供。【解決手段】液晶を挟持して対向配置される第1基板と第2基板を備える液晶表示パネルと、この液晶表示パネルの前記第2基板側に配置されるバックライトとからなる液晶表示装置であって、前記第1基板の液晶側の各画素に、ゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを通してドレイン信号線からの映像信号が供給される透明導電材の画素電極と、金属層の対向電極信号線を通して前記映像信号に対して基準となる信号が供給される透明導電材の対向電極とが形成され、前記薄膜トランジスタは、そのゲート電極が半導体層よりも上層に形成されているとともに、絶縁膜を介して前記対向電極信号線の下層に位置づけられて構成され、少なくとも電極の形成された領域を除く前記半導体層が前記対向電極信号線に重なって配置されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
液晶を挟持して対向配置される第1基板と第2基板を備える液晶表示パネルと、この液晶表示パネルの前記第2基板側に配置されるバックライトとからなる液晶表示装置であって、 前記第1基板の液晶側の各画素に、ゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを通してドレイン信号線からの映像信号が供給される透明導電材の画素電極と、金属層の対向電極信号線を通して前記映像信号に対して基準となる信号が供給される透明導電材の対向電極とが形成され、 前記薄膜トランジスタは、そのゲート電極が半導体層よりも上層に形成されているとともに、絶縁膜を介して前記対向電極信号線の下層に位置づけられて構成され、 少なくとも電極の形成された領域を除く前記半導体層が前記対向電極信号線に重なって配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件)：
G02F 1/134 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/133
FI (3件)：
G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1335 505
Fターム (31件)：
2H092GA14 ,  2H092GA15 ,  2H092GA17 ,  2H092GA25 ,  2H092GA26 ,  2H092HA04 ,  2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA37 ,  2H092JB16 ,  2H092JB54 ,  2H092JB56 ,  2H092KB04 ,  2H092KB25 ,  2H092MA14 ,  2H092NA22 ,  2H092NA27 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  2H191FA02Y ,  2H191FA14Y ,  2H191FA81Z ,  2H191FA94Y ,  2H191FC10 ,  2H191FD04 ,  2H191FD22 ,  2H191FD26 ,  2H191FD44 ,  2H191GA19 ,  2H191GA22 ,  2H191LA03
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 液晶表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-042192   出願人：エプソンイメージングデバイス株式会社
審査官引用 (4件)
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