特許
J-GLOBAL ID：201003005490057178

磁気抵抗効果型磁気ヘッド

発明者：
岡村 進

岡村 進 について

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佐藤 陽

佐藤 陽 について

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星野 勝美

星野 勝美 について

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星屋 裕之

星屋 裕之 について

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目黒 賢一

目黒 賢一 について

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加藤 恵三

加藤 恵三 について


出願人/特許権者：
ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ

ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ について


代理人 (2件)： 平木 祐輔 ,  渡辺 敏章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-318875
公開番号（公開出願番号）：特開2010-140586
出願日： 2008年12月15日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：
【課題】MR比のバイアス依存性を改善し、高い再生出力を有する磁気ヘッドを提供する。【解決手段】飽和磁化の異なる固定層13と自由層15を有し、かつホイスラー合金などの高スピン散乱材料を有する磁気抵抗効果素子において、固定層と自由層のうち飽和磁化が低い方の磁性層から高い磁性層の方に電子が流れるようにバイアス電圧を印加することで、高MR比と高バイアス耐性を両立し、高い再生出力を実現する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
自由層と中間層と固定層とが積層され、上記固定層が感知すべき磁界に対して実質的に固定されてなる垂直通電型の磁気抵抗効果素子を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 上記固定層もしくは自由層のいずれか一方にX-Y-Z(Xは45at.%以上、55at.%以下のCo又はFe、Yは20at.%以上、30at.%以下のV,Cr,Mn,Feから選択された1種もしくは2種以上の元素、Zは20at.%以上、35at.%以下のAl,Si,Ga,Ge,Sn,Sbから選択された1種又は2種以上の元素)の組成で表わされるホイスラー合金層を備え、他方に上記ホイスラー合金よりも飽和磁化が大きい高飽和磁化材料層を備え、 上記垂直通電の方向が、上記ホイスラー合金層から上記高飽和磁化材料層に電子が流入する方向であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
IPC (4件)：
G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32
FI (5件)：
G11B5/39 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/16 ,  H01F10/32
Fターム (40件)：
5D034BA03 ,  5D034BA12 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049BA12 ,  5F092AA02 ,  5F092AA10 ,  5F092AB03 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD12 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BB66 ,  5F092BB81 ,  5F092BB82 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13 ,  5F092BC14 ,  5F092BC18 ,  5F092BC19 ,  5F092BC22 ,  5F092BE11 ,  5F092BE24 ,  5F092CA23 ,  5F092CA26
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
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