特許
J-GLOBAL ID：200903096792562810

磁性薄膜、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッドおよび磁気メモリ素子

発明者：
平田 京

平田 京 について

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川森 啓太

川森 啓太 について

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水野 友人

水野 友人 について

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土屋 芳弘

土屋 芳弘 について

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島沢 幸司

島沢 幸司 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074521
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250977
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】組成式がXYZまたはX2YZで表される合金の規則化処理温度を低くできる構成を提供する。【解決手段】MR素子4は、ピンド層43、スペーサ層44およびフリー層45が、この順番で積層された構成を有する。フリー層45は、少なくともスペーサ層44と隣接する側がホイスラー合金層で構成される。ホイスラー合金層は、組成式がXYZまたはX2YZで表される合金に対して、デバイ温度が300K以下の付加元素を添加したものである。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
組成式がXYZまたはX2YZ(ただし、Xは、Co、Ir、Rh、Pt、およびCuから選択された1種または2種以上の元素、Yは、V、Cr、Mn、およびFeから選択された1種または2種以上の元素、Zは、Al、Si、Ge、As、Sb、Bi、In、TiおよびPbから選択された1種または2種以上の元素である。)で表される規則化された結晶構造をもつ合金からなる層を有し、 前記合金に、前記合金の組成に含まれず、かつデバイ温度が300K以下である、少なくとも1種の付加元素が添加されている磁性薄膜。
IPC (6件)：
H01F 10/16 ,  H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  C22C 19/07 ,  C22C 9/00
FI (6件)：
H01F10/16 ,  H01L43/08 M ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  C22C19/07 C ,  C22C9/00
Fターム (36件)：
4M119AA15 ,  4M119BB03 ,  4M119DD09 ,  5D034BA03 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5F092AA08 ,  5F092AB03 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AD03 ,  5F092BB03 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB42 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BB66 ,  5F092BB81 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC19 ,  5F092BE11 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092CA26 ,  5F092GA03
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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