グラフェンの作製方法、グラフェン、グラフェン作製装置及び半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：堀口浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-059869
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212619
出願日： 2009年03月12日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】半導体製造プロセスに適するグラフェン構造の作成方法及び作成装置を提供する。【解決手段】少なくとも水素または希ガスの1種を含む第1のガスから生成する第1プラズマを、基板30に担持された少なくともCo、Ni、Feのいずれかを含む薄膜に供給する第1工程と、炭化水素系ガスを含む第2のガスから、ラジカルを含む第2プラズマを生成し、前記第2プラズマを、前記ラジカル以外の第2プラズマの進入を遮蔽する平板電極4を通して前記ラジカルを前記薄膜に供給する第2工程と、希ガスを含む第3のガスから生成する第3プラズマを、前記薄膜に供給する第3工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも水素または希ガスの1種を含む第1のガスから生成する第1プラズマを、基板に担持された少なくともCo、Ni、Feのいずれかを含む薄膜に供給する第1工程と、炭化水素系ガスを含む第2のガスから、ラジカルを含む第2プラズマを生成し、前記第2プラズマを、前記ラジカル以外の第2プラズマの進入を遮蔽する平板電極を通して前記ラジカルを前記薄膜に供給する第2工程と、希ガスを含む第3のガスから生成する第3プラズマを、前記薄膜に供給する第3工程と、を含むことを特徴とするグラフェンの作製方法。

IPC (1件)：

H01L 21/205

FI (1件)：

H01L21/205

Fターム (15件)：

5F045AA08 , 5F045AB07 , 5F045AB40 , 5F045AC07 , 5F045AC16 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE21 , 5F045AF10 , 5F045BB07 , 5F045CA05 , 5F045DP03 , 5F045DQ10

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-210551 出願人：株式会社アルバック
線状炭素材料の製造方法及び機能デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-248263 出願人：ソニー株式会社
基板上への炭素被膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-285024 出願人：ユニバーシティオブヒューストン

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