特許
J-GLOBAL ID：200903053528227653
プラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
大森 純一
, 折居 章
, 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-210551
公開番号（公開出願番号）：特開2008-038164
出願日： 2006年08月02日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】プラズマによる基板表面のエッチングを抑えつつ、カーボンナノチューブの成長速度の向上を図ることができるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】本発明に係るプラズマCVD装置11は、プラズマPの発生空間と基板ステージ14との間に複数枚のメッシュ状の遮蔽板18(18A,18B)を設置することにより、遮蔽板18を介してのプラズマPからのイオンの漏れ出しを防止するようにしている。これにより、基板Wを遮蔽板18に近づけてもイオンによる基板表面のエッチングを防ぐことができ、基板Wへ到達するラジカル量を増加させて成膜レートの向上を図ることが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
処理室を形成する真空槽と、
前記処理室に設置された基板ステージと、
前記処理室に原料ガスを導入するガス導入手段と、
前記原料ガスを分解するプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
プラズマ発生空間と前記基板ステージとの間に設置された複数枚のメッシュ状の遮蔽板とを備えたことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C16/511
, C01B31/02 101F
4G146AA11
, 4G146AB07
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BC09
, 4G146BC16
, 4G146BC25
, 4G146BC26
, 4G146BC27
, 4G146BC32B
, 4G146BC38B
, 4G146DA03
, 4G146DA16
, 4G146DA33
, 4K030AA10
, 4K030AA17
, 4K030BA27
, 4K030CA17
, 4K030FA01
, 4K030JA10
, 4K030KA12
, 4K030KA19
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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