特許
J-GLOBAL ID：201003006987856186
単結晶体、単結晶基板、ならびに単結晶体の製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-154065
公開番号（公開出願番号）：特開2010-222232
出願日： 2009年06月29日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：
【課題】温度変化による転位および不純物の少ない高品質な単結晶体、単結晶基板、および単結晶体の成長を行うことが可能な単結晶体の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶体3bの製造方法は、反応加熱室2aの内壁と離間するように反応加熱室2a内に種基板3aを配置する工程と、種基板3aを含む領域を加熱し、原料ガス5a,5bを種基板3aに吹き付けて種基板3a上に単結晶体3bを気相成長させるとともに、反応加熱室2aの内壁に沿わせて反応加熱室2a内にエッチングガス10を流す工程と、を具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
厚み方向においてそれぞれ位置の異なる複数の測定点にてカソードルミネッセンス法によりそれぞれ測定した300nmから400nmの発光波長の範囲内における最大発光強度の値のばらつきが5%以内であり、
長さ方向にてそれぞれ位置の異なる複数の測定点にてカソードルミネッセンス法によりそれぞれ測定した300nmから400nmの発光波長の範囲内における最大発光強度の値のばらつきが5%以内であり、
厚みが25mm以上である単結晶体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (29件)：
4G077AA02
, 4G077AB04
, 4G077AB10
, 4G077BE15
, 4G077DB04
, 4G077DB11
, 4G077EA06
, 4G077EC09
, 4G077EG11
, 4G077EG15
, 4G077EG22
, 4G077EG24
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA01
, 4G077TA04
, 4G077TA08
, 4G077TA11
, 4G077TA12
, 4G077TB02
, 4G077TC01
, 4G077TC03
, 4G077TD02
, 4G077TF02
, 4G077TF05
, 4G077TG06
, 4G077TH06
, 4G077TH07
