特許
J-GLOBAL ID：200903066199979465

III-V族窒化物半導体基板およびその製造方法

発明者：
大島 祐一

大島 祐一 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-113416
公開番号（公開出願番号）：特開2006-290676
出願日： 2005年04月11日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 基板特性の面内不均一をなくし、これまでにない高品質かつ高均一なIII-V族窒化物半導体基板およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】 第一の半導体結晶基板を準備し、この第一の半導体結晶基板を接着によりサセプタ上に固定し、この第一の半導体結晶基板上にIII-V族窒化物系半導体結晶を成長する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III-V族窒化物系半導体結晶からなる自立したIII-V族窒化物半導体基板であって、 前記基板の面積は45cm2以上であり、 前記基板の厚みは200μm以上であり、 前記基板の表面における平均転位密度の値Aが2×107cm-2以下であり、 前記基板の表面における転位密度の最大値がA×150%以下であることを特徴とするIII-V族窒化物半導体基板。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
C30B29/38 D ,  H01L21/205
Fターム (28件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB08 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EG03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TC13 ,  4G077TC16 ,  4G077TF04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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