特許
J-GLOBAL ID：201003008996886520

窒化珪素回路基板およびそれを用いた半導体モジュール

発明者：
手島 博幸

手島 博幸 について

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今村 寿之

今村 寿之 について

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加賀 洋一郎

加賀 洋一郎 について

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渡辺 純一

渡辺 純一 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-244289
公開番号（公開出願番号）：特開2010-076948
出願日： 2008年09月24日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】回路基板用窒化珪素セラミックス基板に適切な表面状態を付与することにより密着性、放熱性、耐圧性能(部分放電特性含む)を改善した窒化珪素回路基板を提供する。【解決手段】窒化珪素基板に金属回路板をろう付け接合した窒化珪素回路基板であって、窒化珪素基板の接合面は算術平均粗さRaが、Ra<1μm、最大高さRyが、Ry<10μm、粗さ曲線から求めたスキューネスRskが、1>Rsk>0であり、ろう付け接合界面のボイドの面積率が3%以下である窒化珪素回路基板。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
窒化珪素基板に金属回路板をろう付け接合した窒化珪素回路基板であって、窒化珪素基板の接合面は算術平均粗さRaが、Ra<1μm、最大高さRyが、Ry<10μm、粗さ曲線から求めたスキューネスRskが、1>Rsk>0であり、ろう付け接合界面のボイドの面積率が3%以下であることを特徴とする窒化珪素回路基板。
IPC (3件)：
C04B 37/02 ,  C04B 35/584 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
C04B37/02 B ,  C04B35/58 102Z ,  H01L23/12 J
Fターム (16件)：
4G001BA06 ,  4G001BA09 ,  4G001BA32 ,  4G001BB06 ,  4G001BB09 ,  4G001BB32 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC73 ,  4G001BD23 ,  4G026BA17 ,  4G026BB22 ,  4G026BD12 ,  4G026BF11 ,  4G026BG02 ,  4G026BH07
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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