PiNダイオード

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：松尾誠剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-013681
公開番号（公開出願番号）：特開2010-171283
出願日： 2009年01月23日
公開日（公表日）： 2010年08月05日
要約：

【課題】大電流領域における順方向降下電圧VFを低くすることが可能で、かつ、小電流領域における順方向降下電圧VFをそれほど高くすることのないPiNダイオードを提供する。【解決手段】n-型エピタキシャル層10と、n-型エピタキシャル層10の第1主面側に配置されるp-型半導体層12と、n-型エピタキシャル層10の第2主面側に配置されるn+型半導体基体14とを備え、n-型エピタキシャル層10とp-型半導体層12との接合部でpn接合が形成されたPiNダイオード100において、p-型半導体層12の表面にp+型の拡散層34が形成されていることを特徴とするPiNダイオード。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層の第1主面側に配置され前記第1導電型とは反対の第2導電型不純物を含有する第2半導体層と、前記第1半導体層の第2主面側に配置され前記第1半導体層よりも高濃度の第1導電型不純物を含有する第3半導体層を備え、前記第1半導体層と前記第2半導体層との接合部でpn接合が形成されたPiNダイオードにおいて、前記第2半導体層の表面に、第2半導体層よりも高濃度の第2導電型不純物を含有する拡散層が形成されていることを特徴とするPiNダイオード。

IPC (1件)：

H01L 29/861

FI (1件)：

H01L29/91 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-335386 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-154189 出願人：トヨタ自動車株式会社
高耐圧半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-055030 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-179392 出願人：株式会社豊田自動織機製作所

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