特許
J-GLOBAL ID:201003010414647598
ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-048984
公開番号(公開出願番号):特開2010-237661
出願日: 2010年03月05日
公開日(公表日): 2010年10月21日
要約:
【解決手段】カルボキシル基の水素原子が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしていることを特徴とするポジ型レジスト材料。(式中、R1は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基又はアルコキシカルボニル基、炭素数6〜10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。mは1〜4の整数である。)【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とラインエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超LSI製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、EUV露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
カルボキシル基の水素原子が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしていることを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (6件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, G03F 7/32
, H01L 21/027
, C08F 12/22
, C08F 20/26
FI (7件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, G03F7/32
, G03F7/004 503A
, H01L21/30 502R
, C08F12/22
, C08F20/26
Fターム (83件):
2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096EA06
, 2H096EA07
, 2H096GA09
, 2H125AF15P
, 2H125AF17P
, 2H125AF34P
, 2H125AF38P
, 2H125AF39P
, 2H125AH08
, 2H125AH16
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AH23
, 2H125AH24
, 2H125AJ02X
, 2H125AJ08Y
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ14Y
, 2H125AJ18X
, 2H125AJ42X
, 2H125AJ42Y
, 2H125AJ48X
, 2H125AJ48Y
, 2H125AJ52X
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ70X
, 2H125AJ70Y
, 2H125AJ83Y
, 2H125AJ92Y
, 2H125AL02
, 2H125AL03
, 2H125AL11
, 2H125AL17
, 2H125AL23
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN86P
, 2H125AN88P
, 2H125BA01P
, 2H125BA02P
, 2H125BA26P
, 2H125BA27P
, 2H125CA12
, 2H125CB12
, 2H125CB16
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 2H125CD08P
, 2H125CD37
, 4J100AB00P
, 4J100AB07P
, 4J100AB07Q
, 4J100AB07R
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AR10Q
, 4J100AR32R
, 4J100BA03Q
, 4J100BA03R
, 4J100BA11R
, 4J100BA15P
, 4J100BA50S
, 4J100BB12S
, 4J100BB13S
, 4J100BC43Q
, 4J100BC43S
, 4J100BC48P
, 4J100BC48Q
, 4J100BC53Q
, 4J100BC58R
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100DA04
, 4J100JA38
, 4J100JA46
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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