特許
J-GLOBAL ID:201003010414647598

ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-048984
公開番号(公開出願番号):特開2010-237661
出願日: 2010年03月05日
公開日(公表日): 2010年10月21日
要約:
【解決手段】カルボキシル基の水素原子が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしていることを特徴とするポジ型レジスト材料。(式中、R1は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基又はアルコキシカルボニル基、炭素数6〜10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。mは1〜4の整数である。)【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とラインエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超LSI製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、EUV露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
カルボキシル基の水素原子が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしていることを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (6件):
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027 ,  C08F 12/22 ,  C08F 20/26
FI (7件):
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/32 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R ,  C08F12/22 ,  C08F20/26
Fターム (83件):
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096GA09 ,  2H125AF15P ,  2H125AF17P ,  2H125AF34P ,  2H125AF38P ,  2H125AF39P ,  2H125AH08 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AJ02X ,  2H125AJ08Y ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ42X ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ48X ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ52X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ70X ,  2H125AJ70Y ,  2H125AJ83Y ,  2H125AJ92Y ,  2H125AL02 ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AL17 ,  2H125AL23 ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN86P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA27P ,  2H125CA12 ,  2H125CB12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CD08P ,  2H125CD37 ,  4J100AB00P ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AR10Q ,  4J100AR32R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11R ,  4J100BA15P ,  4J100BA50S ,  4J100BB12S ,  4J100BB13S ,  4J100BC43Q ,  4J100BC43S ,  4J100BC48P ,  4J100BC48Q ,  4J100BC53Q ,  4J100BC58R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38 ,  4J100JA46
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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