特許
J-GLOBAL ID：200903005951612305

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
草木 渉

草木 渉 について

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吉原 隆夫

吉原 隆夫 について

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原田 裕次

原田 裕次 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-240475
公開番号（公開出願番号）：特開2008-257166
出願日： 2007年09月18日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：
【解決手段】酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤としてナフチル基を有する繰り返し単位とフッ素原子を有する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物とを含むレジスト材料。【効果】本発明のレジスト材料を用いて形成したフォトレジスト膜は、レジスト膜表面を親水性化することで、現像後レジスト膜上のブロッブ欠陥の発生を防止できる。また、液浸露光用のレジスト保護膜とのミキシングを防止することでパターン形状の劣化を防止でき、膜表面に残存する液滴が誘発するパターン形成不良を低減することもできる。 従って、本発明のレジスト材料を用いれば、液浸リソグラフィーにおけるコストを削減し、欠陥の少ない微細なパターンを高精度で形成できる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤としてナフチル基を有する繰り返し単位と少なくとも1個のフッ素原子を有する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物とを含むことを特徴とするレジスト材料。
IPC (10件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027 ,  C08F 212/02 ,  C08F 216/14 ,  C08F 220/22 ,  C08F 220/18 ,  C08F 220/56
FI (10件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/11 501 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F212/02 ,  C08F216/14 ,  C08F220/22 ,  C08F220/18 ,  C08F220/56
Fターム (46件)：
2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF07 ,  2H025BF15 ,  2H025BF29 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CC20 ,  2H025DA02 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096CA06 ,  2H096DA10 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096GA09 ,  4J100AB00P ,  4J100AB07P ,  4J100AE09P ,  4J100AE09Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AM21P ,  4J100AM21Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BB18Q ,  4J100BB18R ,  4J100BC49P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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