特許
J-GLOBAL ID：201003010886728907
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-082781
公開番号（公開出願番号）：特開2010-238772
出願日： 2009年03月30日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：
【課題】より確実に回路を保護する。【解決手段】絶縁基板210上に隣接配置された2つの半導体チップ100と1つの半導体チップ110のうち、隣接する半導体チップの数が最も多い半導体チップ110が保護素子を有し、半導体チップ100と半導体チップ110は、動作温度が高くなるに応じて動作電圧が高くなる特性を有し、保護素子は、半導体チップ110に流れる電流値が規定値以上である場合、半導体チップ110に流れる電流を遮断する。すなわちこの半導体装置では、絶縁基板210の熱分布を均一な状態にしつつ、絶縁基板210上で熱が集中する箇所に保護素子が設けられている。これにより、熱破壊されやすい半導体チップを精度よく特定できるので、より確実に回路を保護することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
隣接配置された3つ以上の半導体チップを有する回路基板を備え、
前記3つ以上の半導体チップのうち、隣接する半導体チップの数が最も多い半導体チップは保護素子を有し、
前記3つ以上の半導体チップは全て、動作温度が高くなるに応じて動作電圧が高くなる特性を有し、
前記保護素子は、半導体チップに流れる電流値が規定値以上である場合、半導体チップに流れる電流を遮断すること
を特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/58
H01L25/04 C
, H01L23/56 C
