バイポーラ半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉田研二 , 石田純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-002367
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197472
出願日： 2004年01月07日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】バイポーラ半導体要素が複数配置された半導体装置の温度分布を抑制する。【解決手段】半導体装置102は、ゲート電極を有する縦型バイポーラ半導体要素32〜38を備える。チップ周辺部26の半導体要素32〜34のp型高濃度ドリフト領域42における結晶欠陥分布が最大となる深さは、チップ中央部の半導体要素36〜38のp型高濃度ドリフト領域42における結晶欠陥分布が最大となる深さと比べ、p型高濃度ドリフト領域42の厚みの中央から近い。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

ゲート電極を有する縦型バイポーラ半導体要素が複数配置された半導体装置において、前記複数の半導体要素のうち半導体装置周辺部より内側に配置された少なくとも1つの半導体要素のドリフト領域のキャリアライフタイムが、前記複数の半導体要素のうち前記半導体装置周辺部の半導体要素のドリフト領域のキャリアライフタイムより長いことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 , H01L21/336

FI (6件)：

H01L29/78 655F , H01L29/78 652H , H01L29/78 652M , H01L29/78 652P , H01L29/78 653A , H01L29/78 658H

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-082692 出願人：トヨタ自動車株式会社

審査官引用 (6件)

電力用半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-001713 出願人：三菱電機株式会社
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-175430 出願人：日本電装株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-055775 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

前のページに戻る