特許

J-GLOBAL ID：201003012850450913

単結晶ダイヤモンド基板

発明者： 徳田 規夫 ,  小倉 政彦 ,  加藤 宙光 ,  竹内 大輔 ,  牧野 俊晴 ,  小山 和博 ,  大串 秀世 ,  山崎 聡
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-100870
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251599
出願日： 2009年04月17日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：

【課題】本発明は、表面が平坦な単結晶ダイヤモンド{111}基板及びその表面上に平坦な堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド{111}基板を得ることを課題とする。【解決手段】表面にステップテラス構造を有する単結晶ダイヤモンド{111}基板あるいは基板表面上に、化学気相成長法による堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド{111}基板である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

表面にステップテラス構造を有する単結晶ダイヤモンド{111}基板。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/511

FI (4件)：

H01L21/02 B ,  C30B29/04 Q ,  C23C16/27 ,  C23C16/511

Fターム (26件)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB19 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB07 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコン基板の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-113104   出願人：日本電信電話株式会社