半導体積層構造

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：伊藤克博 , 小野暁子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-222151
公開番号（公開出願番号）：特開2010-053002
出願日： 2008年08月29日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：

【課題】GaN層を表面層に有し、熱膨張によるクラックの発生の少ない半導体積層構造を提供する。【解決手段】ZnO基板10とその上に直接エピタキシャル成長して形成されたIII-V族窒化物エピタキシャル層11を有する半導体積層構造であって、前記III-V族窒化物エピタキシャル層11が、組成の異なる第1層12から第n層14からなり、ここで、nは、3以上の整数であり、第n層14が実質的にGaNからなる層である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ZnO基板とその上に直接エピタキシャル成長して形成されたIII-V族窒化物エピタキシャル層を有する半導体積層構造であって、前記III-V族窒化物エピタキシャル層が、組成の異なる第1層から第n層からなり、ここで、nは、3以上の整数であり、第n層が実質的にGaNからなる層であることを特徴とする半導体積層構造。

IPC (5件)：

C30B 29/38 , H01L 21/203 , H01L 33/32 , H01S 5/323 , C23C 14/06

FI (6件)：

C30B29/38 D , H01L21/203 S , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , C23C14/06 A , C23C14/06 P

Fターム (43件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BE15 , 4G077DA11 , 4G077DA18 , 4G077EA02 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BB09 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029DC16 , 4K029DC34 , 4K029EA01 , 5F041AA31 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA67 , 5F103AA08 , 5F103DD01 , 5F103GG01 , 5F103HH10 , 5F103LL02 , 5F103LL03 , 5F103RR04 , 5F173AH22 , 5F173AH49 , 5F173AP05 , 5F173AP07 , 5F173AP09 , 5F173AR99

引用特許：

出願人引用 (5件)

窒化物半導体素子並びにその作製方法
公報種別：再公表公報出願番号：IB2004000916 出願人：財団法人神奈川科学技術アカデミー
III-V族窒化物層およびその製造方法
公報種別：再公表公報出願番号：JP2007055577 出願人：財団法人神奈川科学技術アカデミー, 国立大学法人東京大学, 三菱化学株式会社
特開平4-209577号公報

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