特許

J-GLOBAL ID：201003013836823452

ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いた磁気抵抗素子、スピントランジスタ及びその製造方法

発明者： 丸亀 孝生 ,  石川 瑞恵 ,  井口 智明 ,  杉山 英行 ,  斉藤 好昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (21件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  風間 鉄也 ,  勝村 紘 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-246718
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080650
出願日： 2008年09月25日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：

【課題】 ホイスラー合金が形成される下地層の選択自由度が高く、熱処理温度及び熱処理回数を低減し、ホイスラー合金の高いスピン偏極率を活用できる積層体を提供する。【解決手段】 MgO層3と接触するように、結晶質のホイスラー合金層1が配置されている。ホイスラー合金層1のMgO層3に対して反対の面側には、非晶質のホイスラー合金層4が配置されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

結晶質のMgO層と、 前記MgO層と接触するように配置された結晶質のホイスラー合金層と、 前記ホイスラー合金層の前記MgO層に対して反対の面側に配置された非晶質のホイスラー合金層と、 を具備することを特徴とする積層体。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/32 ,  G11B 5/39

FI (7件)：

H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/32 ,  G11B5/39

Fターム (49件)：

4M119AA17 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119BB13 ,  4M119BB20 ,  4M119CC01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD10 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF06 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ09 ,  4M119KK07 ,  5D034BA02 ,  5D034BA15 ,  5E049AC03 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5F092AB02 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC24 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB24 ,  5F092BB36 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC22 ,  5F092BC46 ,  5F092BD05 ,  5F092BD14 ,  5F092BE03 ,  5F092BE06 ,  5F092BE21 ,  5F092CA26

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 記憶素子及びメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-116128   出願人：ソニー株式会社
• 磁性薄膜、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッドおよび磁気メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-074521   出願人：TDK株式会社
• スピントランジスタ、プログラマブル論理回路および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-156406   出願人：株式会社東芝