特許

J-GLOBAL ID：200903013971187360

記憶素子及びメモリ

発明者： 細見 政功 ,  別所 和宏 ,  山元 哲也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-116128
公開番号（公開出願番号）：特開2006-295001
出願日： 2005年04月13日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】 スピン注入効率を向上することにより、書き込みに要する電流値を低減することができる記憶素子を提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17に対して、中間層16を介して磁化固定層31が設けられ、中間層16が酸化マグネシウムから成り、積層方向に電流を流すことにより記憶層17の磁化M1の向きが変化して、記憶層17に対して情報の記録が行われ、記憶層17又は磁化固定層31を構成する強磁性層17,13,15のうち少なくとも一層が、A2BC型ホイスラー合金から成る記憶素子3を構成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、 前記記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられ、 前記中間層が、酸化マグネシウムから成り、 積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われ、 前記記憶層又は前記磁化固定層を構成する強磁性層のうち少なくとも一層が、A2BC型ホイスラー合金から成ることを特徴とする記憶素子。

IPC (12件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 29/82 ,  C22C 9/00 ,  C22C 19/00 ,  C22C 19/07 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/18

FI (12件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L29/82 Z ,  C22C9/00 ,  C22C19/00 H ,  C22C19/07 C ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01F41/18

Fターム (13件)：

5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA25 ,  5E049DB14 ,  5E049GC01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-203934   出願人：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
• 米国特許公開第2004/0027853号明細書
  

審査官引用 (4件)

• 磁気セル及び磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-396201   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-311497   出願人：株式会社東芝
• ホイスラー磁性層と体心立方構造の非磁性中間層を積層した磁気抵抗効果素子および磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-307797   出願人：株式会社日立製作所
• 磁気記録素子および磁気記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-272376   出願人：株式会社東芝