特許
J-GLOBAL ID：201003013847718103

磁気抵抗膜ならびに磁気抵抗膜を用いた磁気記録用磁気ヘッド、磁気センサ及び磁気メモリー

発明者：
小林 伸聖

小林 伸聖 について

, 
増本 健

増本 健 について


出願人/特許権者：
財団法人電気磁気材料研究所

財団法人電気磁気材料研究所 について


代理人 (1件)： 村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-232225
公開番号（公開出願番号）：特開2010-067769
出願日： 2008年09月10日
公開日（公表日）： 2010年03月25日
要約：
【課題】 フッ化物からなる絶縁マトリックスに分散したnmサイズの磁性グラニュール合金と、不可避的不純物とからなり、室温で5%以上の磁気抵抗比を示し、且つ1×104μΩcm以上の電気抵抗率を有する磁気抵抗膜の耐熱性を高める。【解決手段】 組成が一般式FeaCobNicSixMyFzで表わされ、MはMg,Al,Ca,Sr,Ba及びGdのうちから選択される1種又は2種以上の元素であり、かつ組成比a,b,c,x,y,zは原子比率で、0≦a≦60,0≦b≦60,0≦c≦60,20≦a+b+c≦60,0<x<10,9≦y≦40,15≦z≦50,30≦y+z≦70で表わされる磁気抵抗膜。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
フッ化物からなる絶縁マトリックスに分散したnmサイズの磁性グラニュール合金と、不可避的不純物とからなり、室温で5%以上の磁気抵抗比を示し、且つ1×104μΩcm以上の電気抵抗率を有する磁気抵抗膜において、前記磁気抵抗膜は、不可避的不純物を除いて、組成が一般式FeaCobNicSixMyFzで表わされ、MはMg,Al,Ca,Sr,Ba及びGdのうちから選択される1種又は2種以上の元素であり、かつ組成比a,b,c,x,y,zは原子比率で、0≦a≦60,0≦b≦60,0≦c≦60,20≦a+b+c≦60,0<x<10,9≦y≦40,15≦z≦50,30≦y+z≦70で表わされるとともに、加熱後の磁気抵抗比及び電気抵抗率の変化が小さいことを特徴とする磁気抵抗膜。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/09
FI (5件)：
H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/16 ,  G11B5/39 ,  G01R33/06 R
Fターム (25件)：
2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  4M119AA06 ,  4M119BB20 ,  4M119JJ03 ,  5D034BA03 ,  5D034CA06 ,  5E049AB10 ,  5E049AC10 ,  5E049BA30 ,  5E049CB10 ,  5E049GC04 ,  5F092AA08 ,  5F092AB01 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC04 ,  5F092BB43 ,  5F092BC33 ,  5F092BC39 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092CA02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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