特許

J-GLOBAL ID：200903071981461851

高電気抵抗を有する磁気抵抗膜

発明者： 小林 伸聖 ,  大沼 繁弘 ,  増本 健
出願人/特許権者： 財団法人電気磁気材料研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-184123
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344042
出願日： 2001年05月15日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】本発明は,省電力磁気素子に用いられる,室温においてMR比の値が3%以上の大きな磁気抵抗効果を示し,且つ104μΩcm以上の高い電気比抵抗を有する磁気抵抗膜を提供することを目的とする.【解決手段】 一般式(Fel-a-bCoaNib)100-w-x-y-zLwMxOyFzで表わされ,LはRu,Rh,Pd,Os,Ir,Ptのうちから,MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Sr,Zr,Nb,Mo,Ba,Hf,Ta,W,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素からなるグラニュラー膜で,室温において3%以上の磁気抵抗効果を有し,且つ104μΩcm以上の高い電気比抵抗を有する磁気抵抗膜に関する.

請求項（抜粋）：

一般式(Fe<SB>l-a-b</SB>Co<SB>a</SB>Ni<SB>b</SB>)<SB>100-w-x-y-z</SB>L<SB>w</SB>M<SB>x</SB>O<SB>y</SB>F<SB>z</SB>で表わされ,LはRu,Rh,Pd,Os,Ir,Ptのうちから,MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Sr,Zr,Nb,Mo,Ba,Hf,Ta,W,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素であり,かつ組成比a,b,w,x,y,zは原子比率で,0≦a≦10<b≦0.50≦w≦5010≦x≦400≦y≦500≦z≦5030≦x+y+z≦70である組成からなり,室温で3%以上の磁気抵抗効果を示し,高電気抵抗を有する磁気抵抗膜.

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/10

FI (7件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 M ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/10 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

Fターム (12件)：

2G017AA10 ,  2G017AD54 ,  5D034BA02 ,  5E049AA01 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA30 ,  5F083JA60 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-299027   出願人：財団法人電気磁気材料研究所
• 高電気抵抗を有する磁気抵抗膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-281232   出願人：財団法人電気磁気材料研究所
• 高電気比抵抗磁気抵抗膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-307441   出願人：財団法人電気磁気材料研究所
• 磁気抵抗効果材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-065670   出願人：三洋電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• “強磁性体の物理(下)”, 20000425, 第11版, p.368-374